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電話:(03)577-1098
傳真:(03)577-8539
email:sales@taiwanmicro.com.tw

 

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公司簡介

   倢通科技股份有限公司成立在200311月,由一群美國矽谷之資深工程師回到台灣成立之微米波積體電路(Monolithic Microwave Integrated Circuit, MMIC)設計公司,以GaAs製程為核心技術,利用InGaP/GaAs (Indium Gallium Phosphide) Heterojunction Bipolar Transistor (HBT)設計各種Power Amplifier(PA),利用Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (PHEMT)設計各種RF Switch,以及各種應用在無線通信系統的多晶片模組(Multi-Chip ModuleMCM)及系統級封裝產品 (System in PackageSiP)

  我們擁有堅強的設計及測試能力,加上獨步全球之晶圓代工廠及封裝廠,使得倢通科技在RFIC業界擁有非常高之競爭能力。經過多年的努力,倢通科技不僅建立MMIC設計能力,也俱備良好之量產能力。以美國矽谷的技術為基礎,以台灣市場出發,擴展我們的產品及服務到全球。

  倢通科技利用無線通訊產品之便利及沒有縫隙的特性,在無線通信產業不斷努力,特別是IEEE 802.11. a/b/g/n功率放大器MMIC (PA MMIC)Mobile Phone GSM/DCS/EdgeCDMAWiMax以及LTE等應用之功率放大器MMIC、各式射頻切換器MMIC (RF Switch MMIC:如SPDT DPDT SPQT DPQTSP6T SP8TSP9T ),射頻前端多晶片模組(RF Front End MCM),射頻系統級封裝IC( system in packageSiP)以及長距離電信系統的雙向功率波器(Power Booster)

  對品質的保證:倢通科技也遵守綠化的世界潮流,全部產品均符合綠色(Green)規範,善盡地球公民的義務,生產符合綠色環保的產品,永續經營地球,滿足客戶需求。

 

   倢通科技股份有限公司成立在200311月,由一群美國矽谷之資深工程師回到台灣成立之微米波積體電路(Monolithic Microwave Integrated Circuit, MMIC)設計公司,以GaAs製程為核心技術,利用InGaP/GaAs (Indium Gallium Phosphide) Heterojunction Bipolar Transistor (HBT)設計各種Power Amplifier(PA),利用Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (PHEMT)設計各種RF Switch,以及各種應用在無線通信系統的多晶片模組(Multi-Chip ModuleMCM)及系統級封裝產品 (System in PackageSiP)

  我們擁有堅強的設計及測試能力,加上獨步全球之晶圓代工廠及封裝廠,使得倢通科技在RFIC業界擁有非常高之競爭能力。經過多年的努力,倢通科技不僅建立MMIC設計能力,也俱備良好之量產能力。以美國矽谷的技術為基礎,以台灣市場出發,擴展我們的產品及服務到全球。

  倢通科技利用無線通訊產品之便利及沒有縫隙的特性,在無線通信產業不斷努力,特別是IEEE 802.11. a/b/g/n功率放大器MMIC (PA MMIC)Mobile Phone GSM/DCS/EdgeCDMAWiMax以及LTE等應用之功率放大器MMIC、各式射頻切換器MMIC (RF Switch MMIC:如SPDT DPDT SPQT DPQTSP6T SP8TSP9T ),射頻前端多晶片模組(RF Front End MCM),射頻系統級封裝IC( system in packageSiP)以及長距離電信系統的雙向功率波器(Power Booster)

  對品質的保證:倢通科技也遵守綠化的世界潮流,全部產品均符合綠色(Green)規範,善盡地球公民的義務,生產符合綠色環保的產品,永續經營地球,滿足客戶需求。

 

 

 

 

 

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